2025-10-28
セラミックPCBの設計は、単に「高性能」材料を選ぶことではありません。それは、アプリケーションのニーズを具体的な詳細に変換することです。つまり、熱予算に合わせて適切なセラミックを選択したり、EMIを40%削減するためにトレースルーティングを最適化したり、10,000回の熱サイクルに耐えるようにビア設計を洗練させたりすることです。多くのエンジニアは、「AlNを選択する」または「LTCCを使用する」という段階で止まってしまい、「機能的」な設計を「信頼性が高く、費用対効果の高い」設計に変えるためのニュアンスを見落としています。
この2025年版ガイドでは、材料とスタックアップの選択（基礎となるステップ）から、実際の実装（故障を防ぐための詳細）まで、セラミックPCBの最適化の全過程を解説します。LT CIRCUITのようなトップメーカーが使用している7つの重要な最適化戦略を詳しく解説し、故障率を80%削減し、総所有コスト（TCO）を30%削減します。EVインバーター、医療用インプラント、5G mmWaveモジュールなど、どのような設計であっても、このロードマップは一般的な落とし穴を回避し、セラミックPCBの性能を最大限に引き出すのに役立ちます。
主なポイント
1.選択は成否を分ける：熱伝導率とコストのトレードオフ（例：AlN vs. Al₂O₃）を無視すると、50%の過剰な出費または30%の故障率に直面することになります。
2.熱に関する詳細は信頼性を左右する：0.2mmのサーマルビアピッチ（0.5mmと比較）は、EVインバーターのホットスポット温度を25℃下げます。
3.EMI最適化は必須：セラミックPCBは、高周波設計において、クロストークを60%削減するために、グラウンド銅注ぎ+シールド缶が必要です。
4.機械的な微調整はクラックを防ぐ：エッジ面取り（0.5mm半径）+フレキシブル複合材は、振動が発生しやすいアプリケーションで、セラミックの脆性に関連する故障を90%削減します。
5.メーカーとの連携が重要：熱シミュレーションを事前に共有することで、プロトタイプの失敗の20%を回避できます（例：焼結パラメータの不一致）。
はじめに：セラミックPCB設計の最適化が失敗する理由（そしてその修正方法）
ほとんどのセラミックPCB設計は、材料の質が悪いのではなく、「詳細のギャップ」が原因で失敗します。
a.EVインバーターの設計者はAlN（170 W/mK）を選択しましたが、サーマルビアを省略しました。ホットスポットは180℃に達し、はんだ接合部の故障を引き起こしました。
b.医療用インプラントチームは生体適合性のあるZrO₂を選択しましたが、鋭いトレースベンドを使用しました。応力集中により、インプラント中にPCBの25%がクラックしました。
c.5GエンジニアはmmWaveにLTCCを使用しましたが、インピーダンス制御を無視しました。信号損失は0.8 dB/in（目標の0.3 dB/inと比較）に達し、カバレッジ範囲を損ないました。
解決策は？選択（材料、スタックアップ）を実装（サーマルビア、トレースルーティング、製造公差）に結びつける構造化された最適化プロセスです。以下に、このプロセスを具体的なステップに分解し、データ、表、実際の修正例を添えて説明します。
第1章：セラミックPCB選択の最適化 – 成功の基盤
選択（材料とスタックアップの選択）は、最初で最も重要な最適化ステップです。間違ったセラミックを選択すると、どんなに詳細を微調整しても設計を救うことはできません。
1.1 主要な選択要素（熱伝導率だけに固執しない！）
| 要素 | なぜ重要なのか | 選択前に尋ねるべき質問 |
|---|---|---|
| 熱伝導率 | 放熱を決定します（高電力設計に不可欠）。 | 「設計に170 W/mK（AlN）または24 W/mK（Al₂O₃）が必要ですか？」 |
| 動作温度 | セラミックPCBは、最大温度を超えると劣化します（例：ZrO₂ = 250℃）。 | 「PCBは200℃を超えますか？（はいの場合、Al₂O₃を避けてください。）」 |
| 生体適合性 | インプラント可能な設計には、ISO 10993への準拠が必要です。 | 「このPCBは人体へのインプラント用ですか？（はいの場合、ZrO₂のみ。）」 |
| 周波数安定性 | 高周波設計には、安定した誘電率（Dk）が必要です（例：LTCC = 7.8 ±2%）。 | 「信号は10 GHzを超えますか？（はいの場合、Al₂O₃を避けてください。）」 |
| コスト予算 | AlNはAl₂O₃の2倍のコスト、ZrO₂はAlNの3倍のコストです。 | 「性能を犠牲にすることなく、Al₂O₃で50%節約できますか？」 |
| 機械的柔軟性 | セラミックは脆い – フレキシブルな設計には複合材が必要です。 | 「PCBは曲がりますか？（はいの場合、ZrO₂-PI複合材を使用してください。）」 |
1.2 セラミック材料選択ガイド（アプリケーションとの組み合わせ）
| セラミック材料 | 主な特性 | 理想的なアプリケーション | 避けるべき選択ミス |
|---|---|---|---|
| 窒化アルミニウム（AlN） | 170～220 W/mK、15kV/mmの誘電強度 | EVインバーター、5Gアンプ、高出力IGBT | 低電力設計にAlNを使用する（100%以上の過剰な出費）。 |
| 酸化アルミニウム（Al₂O₃） | 24～29 W/mK、$2～$5/sq.in.のコスト | 産業用センサー、LED照明、低電力インバーター | 100Wを超える設計にAl₂O₃を使用する（過熱のリスク）。 |
| ジルコニア（ZrO₂） | ISO 10993準拠、1200～1500 MPaの曲げ強度 | 医療用インプラント、歯科用デバイス | 高電力設計にZrO₂を使用する（低い熱伝導率）。 |
| LTCC（Al₂O₃ベース） | 安定したDk=7.8、埋め込みパッシブ素子 | 5G mmWaveモジュール、マイクロRFトランシーバー | 800℃を超える環境にLTCCを使用する（850℃を超えると劣化）。 |
| HTCC（Si₃N₄ベース） | 1200℃以上の耐性、100 kradの耐放射線性 | 航空宇宙センサー、原子力モニター | コスト重視の設計にHTCCを使用する（Al₂O₃より5倍高価）。 |
1.3 層スタックアップ選択の最適化
セラミックPCBスタックアップは、単に「層を追加する」ことではありません。熱の流れ、信号の完全性、コストのバランスをとることです。以下に、主要なアプリケーション向けの最適化されたスタックアップを示します。
ターゲット用途のスタックアップ例
| アプリケーション | 層スタックアップ | 根拠 |
|---|---|---|
| EVインバーター（AlN DCB） | 上：2oz Cu（電源トレース）→ AlN基板（0.6mm）→ 下：2oz Cu（グラウンドプレーン） | 電源トレースから基板への熱の流れを最大化。厚い銅は高電流に対応。 |
| 5G MmWave（LTCC） | 層1：RFトレース（Cu）→ 層2：グラウンド→ 層3：埋め込みコンデンサ→ 層4：グラウンド→ 層5：RFトレース | グラウンドプレーンはRF信号を分離。埋め込みパッシブ素子はサイズを40%削減。 |
| 医療用インプラント（ZrO₂） | 上：1oz Au（生体適合性）→ ZrO₂基板（0.3mm）→ 下：1oz Au（グラウンド） | 薄い基板はインプラントサイズを削減。金は生体適合性を確保。 |
スタックアップ最適化のヒント：
高電力設計では、グラウンドプレーンを電源トレースの真下に配置します。これにより、オフセットプレーンと比較して熱抵抗が30%削減されます。RF設計では、信号層をグラウンドプレーンで挟む（ストリップライン構成）ことで、EMIを50%削減できます。
第2章：熱設計の最適化 – セラミックPCBを冷却し、信頼性を高める
セラミックPCBの最大の利点は熱伝導率ですが、熱設計が悪いと、この利点の50%が無駄になります。以下に、熱放散を成功させるための詳細を示します。
2.1 熱抵抗の計算（数値を把握する！）
熱抵抗（Rθ）は、セラミックPCBがどれだけ効果的に熱を放散するかを決定します。セラミック基板にはこの式を使用します。
Rθ（℃/W）= 基板の厚さ（mm）/（熱伝導率（W/mK）×面積（m²））
例：AlN vs. Al₂O₃の熱抵抗
| セラミックの種類 | 厚さ | 面積 | 熱伝導率 | Rθ（℃/W） | ホットスポット温度（100W） |
|---|---|---|---|---|---|
| AlN | 0.6mm | 50mm×50mm | 180 W/mK | 0.13 | 周囲温度より13℃高い |
| Al₂O₃ | 0.6mm | 50mm×50mm | 25 W/mK | 0.96 | 周囲温度より96℃高い |
重要な洞察：AlNの低いRθは、ホットスポット温度を83%削減します。これは、EVインバーターと5Gアンプにとって重要です。
2.2 サーマルビアの最適化（熱拡散のための第1の詳細）
サーマルビアは、上部のトレースから下部のグラウンドプレーンに熱を伝達しますが、そのサイズ、ピッチ、数量は、あなたが考えている以上に重要です。
| サーマルビアのパラメータ | 最適化されていない（0.5mmピッチ、0.2mm直径） | 最適化済み（0.2mmピッチ、0.3mm直径） | 影響 |
|---|---|---|---|
| 熱伝達効率 | 最大値の40% | 最大値の90% | ホットスポット温度が25℃低下（100W設計） |
| 熱抵抗（Rθ） | 0.45 ℃/W | 0.18 ℃/W | Rθの60%削減 |
| 製造の実現可能性 | 簡単（機械的ドリル） | レーザードリルが必要 | コストの増加は最小限（+10%） |
サーマルビアの最適化ルール：
1.ピッチ：高電力領域（EVインバーター）では0.2～0.3mm、低電力設計（センサー）では0.5mm。
2.直径：AlN/LTCCでは0.3mm（レーザー加工）。直径<0.2mm（メッキ中の目詰まりのリスク）は避けてください。
3.数量：ホットエリア10mm²あたり1つのサーマルビアを配置します（例：5mm×5mmのIGBTには25個のビア）。
2.3 ヒートシンクとインターフェース材料の統合
最高のセラミックPCBでさえ、100Wを超える設計にはヒートシンクが必要です。熱ギャップをなくすためにインターフェースを最適化します。
| インターフェース材料 | 熱抵抗（℃・in/W） | 最適 | 最適化のヒント |
|---|---|---|---|
| 熱グリス | 0.005～0.01 | EVインバーター、産業用電源 | 0.1mmの厚さで塗布（気泡がないこと）。 |
| サーマルパッド | 0.01～0.02 | 医療用インプラント（グリス漏れなし） | 0.3mmの厚さを選択（加圧下で0.1mmに圧縮）。 |
| 相変化材料 | 0.008～0.015 | 5G基地局（広い温度範囲） | 60℃で活性化（一般的な動作温度に一致）。 |
ケーススタディ：EVインバーターの熱最適化
あるメーカーの800Vインバーター用AlN DCB PCBは、180℃のホットスポットが原因で12%の故障率でした。
実装された最適化：
1.IGBTの下に0.3mmのサーマルビア（0.2mmピッチ）を追加しました。
2.熱グリス（0.1mm厚さ）+アルミニウムヒートシンクを使用しました。
3.銅トレース幅を2mmから3mmに増やしました（伝導損失を削減）。
結果：ホットスポット温度は85℃に低下。故障率は1.2%に低下しました。
第3章：EMI/EMC設計の最適化 – 信号をクリーンに保つ
セラミックPCBはFR4よりも優れたEMI性能を提供しますが、クロストークと干渉を回避するために、特に高周波設計では、最適化が必要です。
3.1 グラウンドプレーンの最適化（EMI制御の基盤）
ソリッドグラウンドプレーンは不可欠ですが、カバレッジやステッチングビアなどの詳細がすべての違いを生み出します。
| グラウンドプレーンの実践 | 最適化されていない（50%のカバレッジ、ステッチングなし） | 最適化済み（90%のカバレッジ、ステッチングビア） | EMIの削減 |
|---|---|---|---|
| カバレッジエリア | PCB表面の50% | PCB表面の90% | 放射EMIを30%削減 |
| ステッチングビア | なし | エッジに沿って5mmごと | クロストークを40%削減 |
| グラウンドプレーン分割 | アナログ/デジタル用に分割 | 単一プレーン（単一点接続） | グラウンドループノイズを50%削減 |
経験則：
RF/5G設計では、グラウンドプレーンのカバレッジは80%を超える必要があります。また、ステッチングビア（直径0.3mm）を5mmごとに使用して、敏感なトレースの周りに「ファラデーケージ」を作成します。
3.2 低EMIのためのトレースルーティング
不適切なトレースルーティングは、セラミックPCBの自然なEMIの利点を損ないます。これらの詳細に従ってください。
| トレースルーティングの実践 | 最適化されていない（90°ベンド、平行ラン） | 最適化済み（45°ベンド、直交ラン） | EMIへの影響 |
|---|---|---|---|
| ベンド角度 | 90°（鋭角） | 45°または曲線（半径=トレース幅の2倍） | 信号反射を25%削減 |
| 平行ランの間隔 | トレース幅の1倍 | トレース幅の3倍 | クロストークを60%削減 |
| 差動ペアの長さの一致 | ±0.5mmの不一致 | ±0.1mmの不一致 | 位相シフトを30%削減（5G mmWave） |
| RFトレース長 | 100mm（シールドなし） | <50mm（シールドあり） | 信号損失を40%削減 |
3.3 シールドの最適化（高干渉環境向け）
5G、航空宇宙、または産業用設計では、EMIを60%削減するためにシールドを追加します。
| シールド方法 | 最適 | 実装の詳細 | EMIの削減 |
|---|---|---|---|
| 銅注ぎシールド | RFトレース、小型モジュール | グラウンド銅でトレースを囲む（0.5mmのギャップ） | 30～40% |
| 金属シールド缶 | 5G mmWave、高出力アンプ | グラウンドプレーンにはんだ付け（ギャップなし） | 50～60% |
| フェライトビーズ | 電源ライン、デジタル信号 | 電源入力に配置（100MHzで1000Ω） | 20～30% |
例：5G MmWave EMIの最適化
LTCCを使用した5Gスモールセル設計では、EMIにより0.8 dB/inの信号損失が発生しました。
適用された修正：
1.RFトレースの周りに0.5mmのグラウンド銅注ぎを追加しました。
2.mmWaveチップの上に金属シールド缶を取り付けました（グラウンドプレーンにはんだ付け）。
3.差動ペアの長さを±0.1mmに合わせました。
結果：信号損失は0.3 dB/inに低下。放射EMIはCISPR 22 Class B規格に適合しました。
第4章：機械的および信頼性設計の最適化 – セラミックのクラックを防ぐ
セラミックは本質的に脆い – 機械的最適化を無視すると、PCBは組み立て中または使用中にクラックします。以下に、耐久性を高めるための詳細を示します。
4.1 エッジとコーナーの最適化（応力集中を軽減）
鋭いエッジとコーナーは応力集中点として機能します。クラックを防ぐために最適化します。
| エッジ/コーナー設計 | 最適化されていない（鋭いエッジ、90°コーナー） | 最適化済み（0.5mm面取り、丸みを帯びたコーナー） | クラックへの影響 |
|---|---|---|---|
| 曲げ強度 | 350 MPa（AlN） | 500 MPa（AlN） | 曲げに対する抵抗が43%向上 |
| 熱サイクル耐久性 | 500サイクル（-40℃～150℃） | 10,000サイクル | 寿命が20倍長くなる |
| 組み立て歩留まり | 85%（取り扱い中にクラック） | 99% | 歩留まりが14%向上 |
最適化のヒント：
すべてのセラミックPCBについて、エッジに0.5mmの面取り、コーナーに1mmの半径を追加します。EV/航空宇宙設計では、1mmの面取りにアップグレードします（振動をより適切に処理）。
4.2 フレキシブルセラミック複合材の最適化（曲げ可能な設計向け）
純粋なセラミックは曲げることができません。ウェアラブル/インプラント可能なアプリケーションには、ZrO₂-PIまたはAlN-PI複合材を使用してください。
| 複合材の種類 | 柔軟性（曲げサイクル） | 熱伝導率 | 最適 |
|---|---|---|---|
| ZrO₂-PI（0.1mm） | 100,000+（1mm半径） | 2～3 W/mK | 医療用インプラント、フレキシブルECGパッチ |
| AlN-PI（0.2mm） | 50,000+（2mm半径） | 20～30 W/mK | 折りたたみ可能な5Gモジュール、湾曲したセンサー |
複合材の設計ルール：
クラックを避けるために、曲げ半径を複合材の厚さの2倍以上に保ちます（例：0.1mm ZrO₂-PIの場合は0.2mm半径）。
4.3 熱サイクル最適化（極端な温度に耐える）
セラミックPCBは銅とは異なる方法で膨張/収縮します。これにより、熱サイクル中に応力が発生します。剥離を防ぐために最適化します。
| 熱サイクルの実践 | 最適化されていない（20℃/分のランプ） | 最適化済み（5℃/分のランプ） | 結果 |
|---|---|---|---|
| ランプ速度 | 20℃/分 | 5℃/分 | 熱応力が70%低下 |
| 最大温度での保持時間 | 5分 | 15分 | 水分の放出が50%減少 |
| 冷却速度 | 制御されていない（15℃/分） | 制御された（5℃/分） | 剥離のリスクが80%低下 |
ケーススタディ：航空宇宙センサーの機械的最適化
衛星センサー用のSi₃N₄ HTCC PCBは、熱サイクル試験の30%でクラックしました（-55℃～120℃）。
適用された修正：
1.1mmのエッジ面取りを追加しました。
2.熱ランプ速度を5℃/分に下げました。
3.タングステンモリブデン導体を使用しました（Si₃N₄の熱膨張係数、CTEに一致）。
結果：10,000サイクル後、クラックは0%。
第5章：製造の実装 – 設計を現実のものにする
最高の設計でさえ、製造可能でなければ失敗します。セラミックPCBメーカーと協力して、これらの重要な詳細を最適化します。
5.1 公差管理（セラミックPCBはFR4よりも許容度が低い）
セラミック製造には、より厳しい公差が必要です。それらを無視すると、設計が適合せず、性能も発揮されません。
| パラメータ | FR4公差 | セラミックPCB公差 | なぜ重要なのか |
|---|---|---|---|
| 層の厚さ | ±10% | ±5%（AlN/LTCC） | 熱抵抗が目標の10%以内に収まることを保証します。 |
| トレース幅 | ±0.1mm | ±0.05mm（薄膜） | インピーダンス制御を維持します（50Ω ±2%）。 |
| ビアの位置 | ±0.2mm | ±0.05mm（レーザー加工） | ビアとトレースの位置ずれを回避します（オープンが発生します）。 |
ヒント：
3Dモデルをメーカーと共有して、公差を検証します。たとえば、LT CIRCUITはCADマッチングを使用して、±0.03mmのビアアライメントを保証しています。
5.2 プロトタイピングと検証（量産前にテスト）
プロトタイピングをスキップすると、量産時の故障率が20%以上になります。これらの重要なテストに焦点を当てます。
| テストの種類 | 目的 | 合格/不合格の基準 |
|---|---|---|
| 熱画像 | ホットスポットを特定します。 | シミュレーションより10℃以上高いスポットがないこと。 |
| X線検査 | ビアの充填と層のアライメントを確認します。 | ビア体積の5%を超えるボイドがないこと。 |
| 熱サイクル | 温度変動下での耐久性をテストします。 | 1,000サイクル後に剥離がないこと。 |
| EMIテスト | 放射エミッションを測定します。 | CISPR 22（消費者向け）またはMIL-STD-461（航空宇宙向け）に適合すること。 |
5.3 材料の互換性（互換性のないプロセスを避ける）
セラミックPCBには互換性のある材料が必要です。たとえば、HTCC（1800℃で焼結）に銀ペーストを使用すると、ペーストが溶けてしまいます。
| セラミックの種類 | 互換性のある導体 | 互換性のない導体 |
|---|---|---|
| AlN DCB | 銅（DCBボンディング）、金（薄膜） | 銀（DCBボンディング温度で溶融）。 |
| LTCC | 銀パラジウム（850℃焼結） | タングステン（1500℃焼結が必要）。 |
| HTCC（Si₃N₄） | タングステンモリブデン（1800℃焼結） | 銅（HTCC温度で酸化）。 |
| ZrO₂ | 金（生体適合性） | 銅（インプラントには有毒）。 |
第6章：ケーススタディ – エンドツーエンドのセラミックPCB設計の最適化（EVインバーター）
800V EVインバーター用のAlN DCB PCBを最適化する実際の例をすべてまとめましょう。
6.1 選択フェーズ
a.課題：170+ W/mKの熱伝導率、800Vの絶縁、および$3～$6/sq.in.の予算が必要です。
b.選択：AlN DCB（180 W/mK、15kV/mmの誘電強度）と0.6mmの基板厚さ。
c.スタックアップ：上（2oz Cu電源トレース）→ AlN基板→ 下（2oz Cuグラウンドプレーン）。
6.2 熱最適化
a.5mm×5mmのIGBTの下に0.3mmのサーマルビア（0.2mmピッチ）を追加しました（IGBTあたり25個のビア）。
c.熱グリス（0.1mm厚さ）+アルミニウムヒートシンク（100mm×100mm）を統合しました。
6.3 EMI最適化
a.ステッチングビア（直径0.3mm、5mm間隔）を使用して、90%のグラウンドプレーンカバレッジを実現しました。
b.クロストークを回避するために、電源トレースを信号トレースに対して直交に配線しました（3mmのギャップ）。
6.4 機械的最適化
a.10Gの振動に対応するために、0.5mmのエッジ面取りを追加しました。
b.製造中に制御された熱サイクル（5℃/分のランプ）を使用しました。
6.5 結果
a.ホットスポット温度：85℃（最適化されていない場合は180℃）。
b.故障率：1.2%（最適化されていない場合は12%）。
c.TCO：$35/PCB（過剰仕様のZrO₂の場合は$50）。
第7章：今後のトレンド – AIと3DプリンティングがセラミックPCB設計を変革
最適化は進化しています。ここに今後の展望があります。
7.1 AI主導の設計
機械学習ツール（例：Ansys Sherlock + AI）は現在、
a.熱ホットスポットを95%の精度で予測します（シミュレーション時間を60%削減）。
b.サーマルビアの配置を自動的に最適化します（手動設計よりも10倍高速）。
7.2 3DプリントセラミックPCB
付加製造により、
a.複雑な形状（例：EVバッテリーパック用の湾曲したAlN）を、材料の無駄を30%削減して実現できます。
b.埋め込み熱チャネル（直径0.1mm）により、熱放散が40%向上します。
7.3 自己修復セラミック
基板に埋め込まれたマイクロカプセル（セラミック樹脂で充填）が自動的にクラックを修復し、産業用アプリケーションの寿命を200%延長します。
第8章：FAQ – セラミックPCB設計の最適化に関する質問
Q1：選択中に熱伝導率とコストのバランスをどのようにとればよいですか？
A1：Al₂O₃を使用してください<100W designs (24 WmK, $2–$5sq.in.) and AlN for>100W（180 W/mK、$3～$6/sq.in.）。生体適合性または耐放射線性が必須でない限り、ZrO₂/HTCCは避けてください。
Q2：セラミックPCBの熱設計における最大のミスは何ですか？
A2：サーマルビアが不十分であるか、ヒートシンクの統合が不十分であること。5mm×5mmのIGBTには、過熱を防ぐために25個以上の0.3mmサーマルビアが必要です。
Q3：FR4設計ルールをセラミックPCBに適用できますか？
A3：いいえ。セラミックには、より厳しい公差（FR4の場合は±0.1mmに対して±0.05mm）、より遅い熱サイクル、およびより高いグラウンドプレーンカバレッジ（50%に対して80%）が必要です。
Q4：医療用インプラント用のセラミックPCBを最適化するにはどうすればよいですか？
A4：ZrO₂（ISO 10993準拠）、0.1mm～0.3mmの厚さ、金導体、および曲げ可能な設計用のフレキシブル複合材を使用します。鋭いエッジ（1mm半径）は避けてください。
Q5：セラミックPCBメーカーと協力する最良の方法は何ですか？
A5：熱シミュレーション、3Dモデル、およびアプリケーション仕様（温度、電力）を早期に共有します。LT CIRCUITは、プロトタイピング前に問題を検出するためのDFM（製造可能性設計）レビューを提供しています。
結論：最適化はプロセスです（一度限りのステップではありません）
セラミックPCB設計の最適化は、「完璧な」材料に関するものではなく、選択（AlN vs. Al₂O₃、スタックアップ）を実装（サーマルビア、トレースルーティング、製造公差）に結び付けることです。このガイドの7つのステップ（材料の選択から機械的な微調整まで）は、EV、医療用インプラント、または5Gの設計に関わらず、故障率を80%削減し、TCOを30%削減します。
重要なポイントは？「セラミックの選択」で止まらず、詳細を最適化することです。0.2mmのサーマルビアピッチ、0.5mmのエッジ面取り、または90%のグラウンドプレーンカバレッジは、失敗する設計と10年以上続く設計の違いを意味する可能性があります。
専門家のサポートが必要な場合は、最適化されたセラミックPCBを専門とするLT CIRCUITのようなメーカーと提携してください。彼らのエンジニアリングチームは、アプリケーションのニーズを具体的な設計の微調整に変換するのに役立ちます。これにより、セラミックPCBが仕様を満たすだけでなく、それを超えることが保証されます。
セラミックPCB設計の未来は詳細にあります。それらをマスターする準備はできていますか？
問い合わせを直接私たちに送ってください.
